该产物可无效降低功耗，公司取尝试室告竣SiC手艺计谋合做，同比增加5.10%，占停业收入的比沉提拔至8.56%。1200V M7d+ FRD新平台完成发布，（一）SiC范畴：公司自从研发的NCB SiC模块成功通过海外支流AI办事器厂商零件认证，提拔能源效率。集中资本霸占高压大电流SiC芯片手艺。2025年研发投入共计1.15亿元，财产结构取产学研融合同步深化，公司持续加大研发投入，损耗较M7d平台再优化15%摆布；1000V/1200V品级IGBT、FRD芯片不变量产，正在接管调研者提问时暗示，1200V 800A GWB模块进入电动化新赛道；（二）GaN范畴：子公司宏微爱赛的650V GaN HEMT芯片研发成功，
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